미국 제재에도…중국 첨단 반도체, 한국 턱밑 추격 > 경제기사 | economics

CXMT 웨이퍼 점유율 15.4%

미국 마이크론과 맞먹는 수준

노광 장비 없이도 GAA 설계

공정기술 격차도 빠르게 좁혀

D램 · 낸드 등 성장세 가팔라

중국이 미국의 강력한 제재에도 ‘첨단 반도체 굴기’에 속도를 높이고 있다. 자동차·전자제품 등에 쓰이는 레거시구형 반도체 생산량을 확대하며 세계 시장 장악력을 높이면서 한국 반도체의 전유물로 여겨져 온 메모리 반도체 시장에 ‘중국발 경고음’이 커지고 있다. 특히 중국은 한국이 주도해온 D램과 낸드플래시·고대역폭메모리HBM 등 분야에서도 기술 격차를 좁혀오고 있다.


16일 반도체 업계에 따르면, 중국 최대 메모리 반도체 기업인 창신메모리테크놀로지CXMT의 내년 4분기 웨이퍼기판 생산능력 점유율 전망치는 올해 4분기 대비 3.6%포인트 증가한 15.4%로 추산됐다. 이는 글로벌 3위인 미국의 마이크론17.4%과 맞먹는 수준으로 삼성전자·SK하이닉스와의 3강 구도에 조만간 균열이 발생할 것으로 업계는 해석하고 있다.

CXMT의 주력 생산 D램도 빠른 속도로 고도화하고 있다. 지난해 19나노㎚·10억 분의 1m가 생산량의 90%가량을 차지했지만, 1년 만에 재빠른 공정 전환을 통해 현재 17나노로 끌어올렸고 내년엔 16나노 초도 양산까지 예고했다. 6세대 10나노급 개발을 완료한 삼성전자·SK하이닉스와 비교하면, 아직 3세대 정도의 격차가 있으나 결코 방심할 수준이 아니라는 게 업계 중론이다.

공정 기술 격차도 빠른 속도로 좁혀나가고 있다. CXMT는 올해 초 게이트올어라운드GAA 설계를 활용한 3나노급 차세대 D램 개발 소식을 전했다. GAA는 트랜지스터 성능 저하를 극복하는 ‘게임 체인저’로 평가받는 기술로 상용화한 곳은 삼성전자가 유일한데, 2016년 설립된 CXMT가 확보를 공언한 것이다. 이는 미국의 강력한 제재 속에서 극자외선EUV 노광장비 없이 이뤄졌다는 점에서 긴장감을 한층 높이고 있다. CXMT는 이외에도 최근 인공지능AI 열풍에 따라 수요가 늘어난 저전력반도체LPDDR 부문에서도 6세대 개발을 완료, 국내 업체와의 격차를 불과 한 세대 차이로 좁히고 있다.

한국과 중국의 낸드 기술 격차는 2년으로 D램5년과 비교해 더 위협적이라는 평가가 나온다. CXMT와 같은 해 설립된 중국 양츠메모리테크놀로지YMTC는 2022년 말 232단 3D 낸드를 상용화하면서 삼성·SK하이닉스와 비슷한 시기에 200단 규모 생산에 성공했다.

전문가들은 보조금·세제 지원, 인프라 투자 등 전방위적인 대응이 절실하다고 입을 모았다. 이상호 한국경제인협회 경제산업본부장은 “반도체는 투자 시기를 놓치면 호황기 때 이익을 거두기 힘든 분야”라며 “추락한 도시바나 인텔의 전철을 밟지 않으려면, 글로벌 주요국 수준의 정책적 지원을 최소한 강구해야 한다”고 강조했다.

김성훈 기자 powerkimsh@munhwa.com

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