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SK하이닉스 이규제 부사장 "차세대 패키징 기술로 HBM 1등 이어갈 것"

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댓글 0건 조회 43회 작성일 24-08-05 11:39

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어드밴스드 MR-MUF·하이브리드 본딩에 주목…"기술 리더십 공고히 할 것"

[아이뉴스24 권용삼 기자] 고대역폭메모리HBM 시장을 선도하고 있는 SK하이닉스가 차세대 패키징 기술을 통해 1등을 이어가겠다는 포부를 밝혔다.

SK하이닉스 이규제 부사장 이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장. [사진=SK하이닉스]

이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장은 5일 자사 뉴스룸 인터뷰를 통해 "표준 규격에 따라 제품 두께는 유지하면서도 성능과 용량을 높이기 위한 칩 고단 적층의 방편으로 최근 하이브리드 본딩 등 차세대 패키징 기술이 주목받고 있다"며 "위 아래 칩간 간격이 좁아져 생기는 발열 문제는 여전히 해결해야 할 과제이지만, 점점 더 다양해지는 고객의 성능 요구를 충족시킬 솔루션으로 기대를 모으고 있다"고 말했다. 이어 "SK하이닉스도 방열 성능이 우수한 기존 어드밴스드 MR-MUF를 지속적으로 고도화하는 한편, 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획"이라고 덧붙였다.

MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고, 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받는다.

SK하이닉스는 지난 2019년 개발한 3세대 HBM2E에 처음으로 MR-MUF 기술을 적용했다. HBM2E는 SK하이닉스의 HBM 성공신화를 가능하게 만든 주역으로 꼽힌다.

이 부사장은 "HBM을 최초로 개발하는 데는 성공했지만, 시장과 고객이 만족할 만한 수준 이상으로 품질과 양산 역량을 끌어 올려야 했다"며 "그때 마침 회사에서 기술 로드맵에 따라 함께 개발하고 있던 MR-MUF 기술이 있었고, 경영진과 고객을 설득해 적기에 이 기술을 3세대 HBM2E에 적용할 수 있었다"고 설명했다. 이어 "개발진을 믿고 기다려준 경영진과 고객 덕분에 결국 당사 고유의 기술인 MR-MUF가 성공적으로 세상에 나올 수 있었다"며 "이를 통해 품질과 성능 측면에서 매우 안정적인 HBM2E의 양산과 공급이 가능해졌다"고 덧붙였다.

앞서 SK하이닉스는 지난해 4세대 12단 HBM3와 5세대 HBM3E 개발에 연이어 성공하며 독보적인 HBM 1등 리더십을 지켜오고 있다. 이 부사장과 기술진은 성공의 1등 공신을 MR-MUF 기술을 한 번 더 고도화한 어드밴스드 MR-MUF로 꼽는다. 이 기술은 기존 칩 두께 대비 40% 얇은 칩을 휘어짐 없이 적층할 수 있는 칩 제어 기술이 적용됐으며, 신규 보호재를 통해 방열 특성까지 향상된 차세대 MR-MUF 기술이다.

c2233456218b9b.jpg SK하이닉스 HBM 패키징 로드맵. [사진=SK하이닉스]

이 부사장은 "12단 HBM3부터는 기존보다 칩의 적층을 늘렸기 때문에 방열 성능을 더욱 강화해야 했다"며 "특히 기존 MR-MUF 방식으로는 12단 HBM3의 더 얇아진 칩들이 휘어지는 현상 등을 다루기 쉽지 않았다"고 회상했다. 이어 "이러한 한계를 극복하기 위해 회사는 기존 MR-MUF 기술을 개선한 어드밴스드 MR-MUF 기술을 개발했다"며 "이를 통해 지난해 세계 최초로 12단 HBM3 개발 및 양산에 성공했으며, 이어 올해 3월 세계 최고 성능의 HBM3E를 양산하게 됐다"고 전했다.

그러면서 이 부사장은 "앞으로도 SK하이닉스가 HBM 리더십을 지켜가려면 지속적으로 늘어나는 커스텀 제품 요구에 적기 대응하기 위해 다양한 차세대 패키징 기술을 개발하는 것이 중요하다"고 강조했다.

한편, 이 부사장은 HBM 개발 공적으로 지난 6월 회사의 HBM 핵심 기술진과 함께 SK그룹 최고 영예인 2024 수펙스추구대상을 수상했다. 그는 "제품 성공을 위해 많은 구성원들이 원팀이 돼 노력해 온 덕분"이라고 소감을 전했다.

/권용삼 기자dragonbuy@inews24.com

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