[컨콜] 삼성전자 "3나노 1세대 수율 성숙단계 도달" > 경제기사 | economics

서울 삼성전자 서초사옥.

[파이낸셜뉴스] 삼성전자는 31일 올해 2·4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "당사 3나노미터1nm=10억분의1m 게이트올어라운드GAA 1세대 공정은 수율양품 비율과 성능이 성숙단계에 도달해 안정적으로 양산하고 있다"며 "3나노 2세대 GAA는 웨어러블 제품을 시작으로 하반기 모바일 제품을 본격 양산할 예정"이라고 밝혔다.

삼성전자는 "3나노 GAA 양산 경험을 바탕으로 2025년 첫 번째 2나노 공정 양산 예정"이라면서 "추가 전력·성능·면적PPA을 개선한 2나노 공정을 2026년까지 준비하겠다. 인공지능AI, 고성능컴퓨팅HPC용 백사이드 공정을 2027년까지 준비할 것"이라고 전했다.
#반도체 #D램 #HBM

mkchang@fnnews.com 장민권 기자


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