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4.3조 짜리 삼성 반도체 기술 중국에 넘겨…전 임직원 구속

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댓글 0건 조회 33회 작성일 24-09-10 19:24

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【 앵커멘트 】
삼성전자 전직 임원과 수석연구원이 중국 기업에 반도체 핵심 기술을 유출한 혐의로 구속 상태로 검찰에 넘겨졌습니다.
이번 사건으로 삼성이 입은 경제적 피해만 최소 4조 3천억 원으로 추산됩니다.
장동건 기자입니다.

【 기자 】
중국 반도체 제조업체 청두가오전 하이테크놀로지의 연구개발 센터입니다.

삼성전자와 SK하이닉스의 전 임원인 반도체 전문가 최 모 씨가 지난 2020년 중국 지방정부로부터 4,600억 원을 투자받아 설립했습니다.


최 씨는 전직 삼성전자 수석연구원 오 모 씨를 영입해 공정설계를 맡겼습니다.

일반적인 제조업체가 D램 반도체를 개발하는 데 최소 4년이 걸리는데, 해당 업체는 불과 1년 3개월 만에 기초 개발제품인 시범 웨이퍼를 생산했습니다.

경찰은 최 씨와 오 씨가 국내 반도체 기술 인력을 대거 이직시켜 삼성전자가 독자 개발한 20나노급 D램 반도체의 공정 단계별 핵심기술을 무단 유출한 혐의로 수사해왔습니다.

해당 기술의 경제적 가치는 무려 4조 3천억 원 이상이라고 경찰은 설명했습니다.

▶ 인터뷰 : 조광현 / 서울경찰청 안보수사지원과장
- "피해 회사는 물론 글로벌 칩워반도체 전쟁 상황에서 국가 경쟁력 약화를 초래하는 등 경제 안보의 근간을 뒤흔든 사건입니다."

경찰은 청두가오전으로 이직한 임직원 30여 명도 추가 입건해 관련 혐의를 수사하고 있다고 밝혔습니다.

▶ 스탠딩 : 장동건 / 기자
- "경찰은 최 씨와 오 씨를 구속 상태로 검찰에 넘기고, 기술 유출 사범에 대한 단속 활동 역시 강화할 방침입니다. MBN뉴스 장동건입니다."

[notactor@mk.co.kr]

영상취재 : 김현석 기자
영상편집 : 김미현
그 래 픽 : 박경희

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