[단독] 삼성, 엔비디아行 HBM3 양산···평택 4공장 D램 전용 전환 > 경제기사 | economics

◆ 엔비디아 승인 테스트 통과···화성 17라인서 생산 시작;범용 D램 공급부족 우려 대응;P4 1층에 전용 생산라인 구축

삼성전자 평택사업장 전경. 사진제공=삼성전자

[서울경제]

삼성전자가 엔비디아에 4세대 고대역폭메모리HBM3를 공급하기 위해 양산에 들어갔다. HBM 공급으로 부족해진 범용 D램 공급을 보완하기 위해 평택 4공장P4을 D램 전용 라인으로 전환한다.

19일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 엔비디아의 8단 HBM3 승인퀄 테스트를 통과하고 화성 17라인에서 HBM 전용 D램을 생산하기 시작했다. 삼성전자가 엔비디아에 HBM3를 공급한다고 알려진 것은 이번이 처음이다.

HBM3는 인공지능AI 반도체 1위인 엔비디아가 지난해부터 첨단 그래픽처리장치GPU 제조를 위해 탑재하기 시작한 메모리반도체다. SK하이닉스가 이 칩을 엔비디아에 단독 공급하면서 HBM 시장에서 독보적인 1위로 올라섰다. 삼성전자는 이번 양산을 시작으로 HBM 선두인 SK하이닉스와의 격차를 좁힐 수 있을 것으로 보인다.

삼성전자는 8단 HBM3E 퀄 테스트도 진행하고 있다. 트렌드포스 등 시장조사 업체와 외신은 삼성전자가 3분기에 이 테스트를 통과하고 엔비디아의 공급망에 본격적으로 진입할 것이라는 긍정적인 전망을 내놓고 있다. 삼성전자는 이러한 분위기 속에서 HBM 생산 능력을 주요 D램 공장이 있는 화성·평택 전 사업장에 걸쳐 확대하고 있다. HBM용 D램을 수직 결합하는 패키징 설비를 기존 천안 사업장에 더해 추가 증설하는 방안도 고려하고 있다.

기존 D램 라인을 HBM 라인으로 전환하면서 범용 D램 수요에 제때 대응할 수 없을 것이라는 우려가 커지자 평택 사업장의 신규 팹인 P4를 D램 전용 라인으로 구축하는 계획을 수립했다.

P4는 2층 구조의 초대형 반도체 공장이다. 기존에는 이곳의 1층을 낸드와 파운드리 라인으로 나눠서 활용하기로 했지만 계획을 바꿔 D램 설비 전용으로 만든다. P4에는 이미 월 1만 장을 생산할 수 있는 9세대 낸드플래시 설비가 갖춰져 있지만 추가의 설비투자는 진행하지 않는다. 파운드리 사업부 역시 평택에서는 신규 설비투자를 하지 않기로 결정했다. P4 파운드리 공간에 갖춰질 D램 장비는 내년 상반기부터 반입될 것으로 관측된다.

업계의 한 관계자는 “현재 삼성전자 국내 사업장에는 새롭게 D램 생산 능력을 늘릴 공간이 P4밖에 없다”며 “반도체 생산 능력을 늘릴 수 있는 공간에는 일단 D램을 투자하는 계획을 세운 것으로 해석된다”고 말했다.

강해령 기자 hr@sedaily.com윤경환 기자 ykh22@sedaily.com

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