반도체 업황 개선에…1분기 삼성전자·SK하이닉스 RD·투자 늘렸다 > 경제기사 | economics

1분기 삼전 연구개발비 7조8201억원 집행

이재용 삼성전자 회장 [연합]

[헤럴드경제=김희량 기자] 반도체 업황이 개선되자 삼성전자와 SK하이닉스가 올해 1분기 1분기에 연구개발Ramp;D 비용과 시설 투자를 늘렸다.

16일 각사가 공시한 분기보고서에 따르면 삼성전자는 올해 1분기 Ramp;D 비용으로 전년 동기 대비 19% 증가한 수준인 7조8201억원을 집행했다. 1분기 기준 역대 최대 규모로, 1년 전11%보다 증가 폭이 더 크다.

1분기 삼성전자 시설투자액은 총 11조3087억원으로, 지난해 1분기보다 5% 늘었다.

다만 반도체 사업을 하는 디바이스솔루션DS 부문 투자액은 9조7877억원에서 9조6663억원으로 소폭 감소했다.

삼성전자 측은 “1분기 중 DS 부문 및 삼성디스플레이 등의 첨단공정 증설·전환과 인프라 투자를 중심으로 시설투자가 이뤄졌다”며 “2024년 글로벌 시황 개선에 대비해 차세대 기술 경쟁력 강화와 중장기 수요 대비를 위한 투자를 지속 점검하고, 투자 효율성 제고로 내실을 다지는 활동도 병행할 계획”이라고 설명했다.

SK하이닉스의 1분기 시설투자액은 2조9430억원으로 작년 동기의 1조7480억원 대비 1조2000억원가량68% 늘어났다.

또 SK하이닉스는 올해 1분기에 Ramp;D 비용으로 1조1090억원을 썼다. 작년 1분기의 1조895억원보다는 2%가량 증가했다.

회사 측은 주요 연구개발 실적으로 세계 최초로 양산을 시작한 4세대 고대역 폭메모리HBM HBM3E, 온디바이스 인공지능AI PC용 고성능 솔리드스테이트드라이브SSDB 제품 PCB01 등을 언급했다.

hope@heraldcorp.com

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