中에 추월당한 K-반도체…과거가 되어버린 세계 1등 > 경제기사 | economics

한국의 반도체 기초역량이 중국, 미국, 대만 등 주요국과 비교해 뒤떨어진다는 분석이 나왔다. 특히 30년 간 1등 자리를 놓치지 않던 메모리 시장도 안심할 수 없다는 경고다. ‘K-반도체 역사상 최대 위기’라는 지적이 업계 곳곳에서 나오는 가운데, 국내 최대 반도체 전시회인 ‘세미콘 코리아 2025’도 반쪽짜리 축제 분위기로 막을 내렸다. AI인공지능 시장의 격변 속에서 당장 내년부터 큰 위기가 시작될 수 있다는 전망도 제기됐다. ▶관련기사 4면

▶中, 2년만에 韓 반도체 기초역량 추월=26일 한국과학기술기획평가원KISTEP이 최근 발간한 ‘3대 게임 체인저 분야 기술 수준 심층분석’ 보고서에 따르면, 한국 반도체 기초역량 기술은 메모리·패키징·전력·센싱·AI 등 5개 분야 중 패키징을 제외한 4개에서 중국에 추월당했다. 이번 보고서는 2022년 설문에 참여한 국내 전문가 39명을 대상으로 실시됐다. 당시 전문가는 ▷메모리 ▷패키징 ▷센싱 분야에서 한국이 중국을 앞섰다고 봤지만, 2년 만에 평가가 뒤집혔다.

한국이 30년 넘게 1등 자리를 지켜온 메모리 분야에서의 역전이 충격적이라는 목소리가 나온다. 최고 선도국의 기술 수준을 100%로 봤을 때 중국은 메모리 기초역량에서 94.1%를 기록했다. 한국은 90.9%였다. 사업화 수준에서도 중국은 92.7%로 한국93.2%의 뒤를 바짝 쫓았다.

특히, 한국은 차세대 반도체 먹거리에서 중국에 3연패를 당했다. 기술 기초역량 평가 결과 ▷AI반도체 중국 88.3%·한국 84.1% ▷전력반도체 중국 79.8%·한국 67.5% ▷고성능센싱 중국 83.9%·한국 81.3%로 나타났다. 기술의 사업화 수준 평가에서도 한국은 전력반도체 6위, 고성능센싱 5위에 머무르며 중국2위·4위에 밀렸다.

국내 반도체 생태계의 취약고리는 기초·원천 연구와 설계인 것으로 나타났다. 한국은 두 분야 기술 수준에서 각각 78.8%, 79.4%를 기록, 비교국 중 최하위에 머물렀다. 중국81.1%, 80.2%보다도 낮은 수준이었다. 공정과 양산에서는 3위를 기록했다.

▶“HBM3까지 쫓아올 것”…D램 ‘삼강구도’ 위협=전문가는 이대로 가다간 한국의 ‘메모리 1등국’ 지위가 과거의 명성에 불과할 수 있다며 경고하고 있다.

21일 폐막한 ‘세미콘 코리아 2025’에서는 중국 반도체 업체들이 DDR더블데이터레이트5 등 첨단 메모리 제품 출시한데 이어 현재 10나노급 4세대1a와 5세대1b 공정을 개발 중이라는 분석이 나왔다. D램 공정의 개발 로드맵은 10나노급 1세대1x →2세대1y→3세대1z→4세대1a→5세대1b→6세대1c 노드node로 구분된다.

최정동 테크인사이츠 박사는 “과거 사례를 보면 미국 마이크론도 극자외선EUV 장비를 사용하지 않고 첨단 D램 공정인 1a와 1b 기술을 개발하는데 성공했다”며 “중국도 EUV 장비 없이 DUV심자외선를 멀티 패터닝하는 방식 등으로 그 수준까지는 따라올 것으로 보인다”고 말했다.

중국이 1z 공정 기술을 기반으로 4세대 고대역폭메모리인 HBM고대역폭메모리3를 개발 중일 것으로도 예상했다.

그는 “CXMT창신메모리테크놀로지는 G1 기술 기반으로 HBM2를 개발해 화웨이에 공급하기 위한 테스트를 마쳤다”며 “16나노급 D램 기술인 G41z 공정로 HBM3 정도는 개발이 가능할 것으로 보이고, 내년 초 개발 완료가 가능할 수도 있을 것”이라고 말했다.

중국은 삼성전자와 SK하이닉스 기술을 바짝 쫓아가는 동시에 범용 D램 시장을 정조준하며 야금야금 점유율을 늘리고 있다. 외신에 따르면, 지난해 중국 CXMT의 전체 D램 시장 점유율은 5%까지 늘어났다. 올 연말에는 12%까지 늘어나 업계 불문률처럼 유지돼온 ‘삼성전자-SK하이닉스-마이크론’ 삼강구도를 위협할 전망이다.

과점을 차지하고 있는 낸드 시장도 안심할 수 없다. 중국과 일본의 기술 발전 속도가 무섭다.

최근 니혼게이자이신문닛케이은 일본 키옥시아가 332단 낸드플래시 개발에 성공했다고 보도했다. 키옥시아는 현재 삼성전자36.9%와 SK하이닉스22.1%에 이어 낸드 시장 3위를 차지하고 있다. 332단은 현존 최고층 제품이다. 중국 YMTC양쯔메모리테크놀로지 역시 최근 294단 낸드플래시 양산에 돌입한 것으로 전해져 업계를 놀라게 했다. SK하이닉스는 지난해 11월 321단 낸드 양산을 시작했고, 삼성전자는 지난해 4월 9세대280단대 낸드 양산을 시작했다.

▶“HBM 성장세 내년에 꺾인다”=D램 시장 성장을 선도하고 있는 HBM 성장세가 내년부터 다소 꺾이면서 위기를 맞이할 수 있다는 전망도 나왔다.

가트너는 올해 HBM 시장이 전년 대비 66.9% 성장할 것으로 봤다. 그러나 2026년에는 22%로 대폭 꺾이고, 2027년에는 8%까지 하락할 것으로 예측됐다.

고라브 굽타 애널리스트는 “메모리 반도체 시장의 사이클주기성으로 인해 2027~2028년 D램 시장의 매출 하락세가 예상된다”며 “HBM도 영향을 받을 것”이라고 분석했다.

수주형 제품인 HBM 역시 전체 메모리 시장의 다운턴에 따른 주문 감소는 불가피하다는 의미다.

현재 시점으로 HBM의 성장세는 2028년 21.3%로 회복될 전망이다. 그러나 AI 시대 속 당장 6개월 앞도 내다보기 힘든 상황에서 불확실성과 변동성이 크다.

반도체 업계 관게자는 “AI 시장의 이슈와 난제가 워낙 빠르게 급변하다 보니 HBM이 아닌 다른 메모리 폼팩터가 필요하다는 의견도 꾸준히 나오고 있다”며 “챗GPT 붐으로 HBM이 갑자기 조명을 받게 됐듯 또 어떤 제품이 ‘스타’가 될지는 아무도 알 수 없다”고 말했다.

김민지 기자

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