SK하이닉스, 세계 최고 적층 321단 4D 낸드 양산 돌입 > 경제기사 | economics

AI용 저장장치 시장 선점 박차



SK하이닉스가 세계 최고층인 ‘321단 4차원4D 낸드플래시사진’ 메모리 반도체 양산에 돌입하며 300단 낸드 시대를 열었다.


SK하이닉스는 321단 1Tb테라비트 트리플 레벨 셀TLC 4D 낸드플래시 양산을 시작했고, 내년 상반기 고객사에 공급할 계획이라고 21일 밝혔다. 낸드는 전원이 끊긴 뒤에도 데이터가 남아 있는 비휘발성 반도체다. 셀을 수직으로 쌓아 올려 데이터 용량을 늘리는 적층 기술이 경쟁력의 핵심 요소다.

앞서 SK하이닉스는 지난해 6월 직전 세대 최고층 낸드인 238단 제품을 생산하기 시작했다. 같은 해 8월 321단 낸드 샘플을 공개하며 최초로 300단을 넘긴 낸드 개발을 공식화했다. SK하이닉스는 가장 먼저 300단 이상 낸드 양산에 들어가면서 인공지능AI 데이터센터용 솔리드스테이트드라이브SSD, 온디바이스 AI 등 AI 스토리지저장장치 시장을 공략하는 데 유리한 입지를 점하게 됐다. 이번 제품은 기존 세대보다 데이터 전송 속도는 12%, 읽기 성능은 13% 향상됐다. 데이터 읽기 전력 효율도 10% 이상 높아졌다. SK하이닉스는 321단 낸드로 AI용 저전력 고성능 시장에도 적극 대응하며 활용 범위를 넓혀갈 방침이다.

SK하이닉스는 이번 제품 개발 과정에서 생산 효율이 높은 ‘3-플러그’ 공정 기술을 도입해 적층 한계를 극복했다고 설명했다. 플러그는 여러 층의 기판을 쌓은 뒤 셀을 한 번에 형성하기 위해 내는 수직 구멍을 말한다. 3-플러그 기술은 3번에 나눠 플러그 공정을 진행한 후 최적화된 후속 공정을 거쳐 3개의 플러그를 전기적으로 연결하는 방식이다.

최정달 SK하이닉스 낸드개발담당 부사장은 “고대역폭메모리HBM로 대표되는 D램은 물론 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 완벽하게 갖춘 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더’로 도약할 것”이라고 말했다.

노도현 기자 hyunee@kyunghyang.com

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