인텔, 차세대 하이-NA EUV 도입…"미래 공정 역량 확보"
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美 오리건주 Ramp;D서 조립 완료…업계 최초 도입
반도체 집적도 향상과 웨이퍼 생산성 제고 기여 [서울=뉴시스]인텔 파운드리는 미국 오리건주 힐스보로 Ramp;D 사이트에서 업계 최초 상업용 ‘고개구율High Numerical Aperture, High NA 극자외선Extreme Ultraviolet, EUV’ 노광장비리소그래피 스캐너 조립을 완료했다고 19일 밝혔다. 사진=인텔 제공 photo@newsis.com *재판매 및 DB 금지 [서울=뉴시스]이인준 기자 = 인텔이 초미세 파운드리반도체 위탁생산 공정에 필수 장비인 하이-NAHigh-NA·고개구율 EUV극자외선 노광장비 도입을 완료했다. 인텔 파운드리는 미국 오리건주 힐스보로 연구개발Ramp;D 구역에 위치한 업계 최초 상업용 하이 NA EUV 트윈스캔 EXE:5000TWINSCAN EXE:5000의 조립을 완료했다고 19일 밝혔다. 하이 NA EUV는 네덜란드 기업인 ASML가 생산하는 장비로, 2나노미터㎚·10억분의 1m 차세대 공정 개발에 필수적인 역할이 기대된다. 하이 NA EUV를 도입한 것은 인텔이 업계 최초다. 이 장비는 앞으로 여러 조정calibration 단계를 거쳐, 인텔의 첨단 공정 로드맵 개발에 사용된다. 인텔은 차세대 EUV를 기존 EUV 장비와 함께 2025년 인텔 18A 제품 검증을 시작으로 인텔 14A 생산에 이르기까지 첨단 칩 개발과 제조에 사용할 계획이다. 신규 장비는 인쇄된 이미지를 실리콘 웨이퍼에 투사하기 위한 광학 설계 변경을 통해 차세대 프로세서의 해상도와 기능 확장을 획기적으로 개선할 수 있다. 인텔에 따르면 하이 NA EUV는 기존 EUV 장비보다 최대 1.7배 미세하게 빛을 쬘 수 있다. 이를 통해 집적도가 2.9배 향상될 것으로 보인다. 또 기존 EUV보다 레이어를 인쇄하는 데 필요한 시간이 줄어 들어 팹의 웨이퍼 생산량을 높일 수 있다. ☞공감언론 뉴시스 ijoinon@newsis.com ▶ 네이버에서 뉴시스 구독하기 ▶ K-Artprice, 유명 미술작품 가격 공개 <저작권자ⓒ 공감언론 뉴시스통신사. 무단전재-재배포 금지.> ◇ 선우은숙 이혼 유영재, 삼혼 논란에 라디오 하차 ◇ 이미주, 3세 연하 축구선수 송범근과 열애 ◇ "사랑과전쟁 최영완, 결혼 10일 전 파혼 통보" ◇ 77세 김용건, 늦둥이 득남 "돈 없으면 못 낳아" ◇ 한소희, 지하철 바닥서 가부좌…결별후 근황 깜짝 ◇ 스토킹 피해 여성 추락사…"가해자 누나=현직 배우" ◇ 파경 이윤진 "이범수, 모의총포 위협" ◇ 김구라 "방송서 이혼한거 떠들고 재혼 호들갑 민망" ◇ 한효주 "하루에 13명과 키스신 찍었다" ◇ 오유진, 가정사 고백 "돌 때 부모 이혼…할머니와 살아" 저작권자ⓒ> |
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