삼성전자, 2027년까지 5나노 eM램 개발한다…전장 로드맵 구체화 > IT/과학기사 | it/science

유럽서 파운드리 포럼 열어…2025년 90나노 BCD 공정 개발 목표

서울=연합뉴스 장하나 기자 = 삼성전자가 오는 2027년까지 5나노 내장형 M램이하 eM램을 개발하기로 하는 등 구체화된 전장 솔루션 로드맵을 제시했다.

5나노 eM램 개발 계획을 밝힌 것은 차량용 반도체 업계 처음으로, 삼성전자는 전장 솔루션 포트폴리오를 확대하고 차세대 전장 파운드리 기술을 선도한다는 계획이다.

삼성전자는 19일현지시간 독일 뮌헨에서 삼성 파운드리 포럼 2023을 열고 이 같은 최첨단 공정 로드맵과 전장 등 응용처별 파운드리 전략을 공개했다.

최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장은 "차량용 반도체 시장에 최적화된 공정을 적기에 개발해 자율주행 단계별 인공지능AI 반도체부터 전력반도체, 마이크로 컨트롤러 유닛MCU 등을 고객 요구에 맞춰 양산해 나갈 계획"이라며 "차별화된 파운드리 솔루션으로 전기차와 자율주행차 시대를 선도해 나갈 것"이라고 말했다.

이날 삼성전자는 최첨단 2나노 공정부터 8인치 웨이퍼를 활용한 레거시 공정에 이르기까지 다양한 맞춤형 솔루션을 선보였다.

삼성전자는 2026년 최첨단 2나노 전장 솔루션 양산 준비를 완료하고, 차세대 eM램과 8인치 BCD 공정 포트폴리오를 확대한다는 계획이다.

이에 따라 2026년 8나노, 2027년 5나노까지 eM램 포트폴리오를 확대할 계획이다. 8나노 eM램의 경우 이전 14나노 대비 집적도는 30%, 속도는 33% 증가할 것으로 기대된다.

eM램은 빠른 읽기와 쓰기 속도를 기반으로 높은 온도에서도 안정적으로 동작 가능한 전장용 차세대 핵심 메모리 반도체다.

삼성전자는 2019년 업계 최초로 28나노 FD-SOI 공정 기반 eM램을 탑재한 제품을 양산했으며, 현재 2024년 완료를 목표로 핀펫FinFET 공정 기반 14나노 eM램을 개발 중이다.

최시영 사장은 앞서 2021년 10월 삼성 파운드리 포럼 기조연설에서 자동차 분야에 파운드리 초미세공정을 적극 활용하겠다는 계획을 밝힌 바 있다.

삼성전자는 8인치 BCD 공정 포트폴리오도 강화한다.

BCD 공정은 아날로그 신호제어, 디지털 신호제어, 고전압 관리 트랜지스터를 하나의 칩에 구현한 것으로, 주로 전력 반도체 생산에 활용된다.

현재 양산 중인 130나노 전장 BCD 공정을 2025년 90나노까지 확대할 계획이다. 90나노 전장 BCD 공정은 130나노 대비 약 20% 칩 면적 감소가 기대된다.

아울러 DTI 기술을 활용해 전장용 솔루션에 적용되는 고전압을 기존 70V볼트에서 120V로 높일 예정이다.

삼성전자는 지난달 뮌헨에서 열린 국제 모터쇼 IAA 모빌리티 2023에 참가한 데 이어 이번 포럼을 열고 유럽 고객과의 협력을 확대하며 전장 분야 핵심 파트너로서의 입지를 강화하고 있다.

삼성전자는 SAFESamsung Advanced Foundry Ecosystem 파트너, 메모리, 패키지 기판, 테스트 전문 기업 등 20개 파트너와 함께 최첨단 패키지 협의체 MDI 얼라이언스를 구축했다.

삼성전자는 최첨단 패키지 협의체를 주도하며 전장과 고성능 컴퓨팅HPC 등 응용처별로 차별화된 2.5D, 3D 패키지 솔루션을 개발할 예정이다.

hanajjang@yna.co.kr

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