삼성전자 송재혁 CTO "반도체, AI 시대 필수…유니버설 테크가 미래 결...
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AI 성능↑ 전력↓…혁신이 열쇠
3D 스택·저저항 본딩…새 기술 중요
산업바꿀 6대 기술…AI 이후 시대 대비
루이 14세 vs 현대인…기술이 만든 삶의 변화 계속돼
3D 스택·저저항 본딩…새 기술 중요
산업바꿀 6대 기술…AI 이후 시대 대비
루이 14세 vs 현대인…기술이 만든 삶의 변화 계속돼

삼성전자 송재혁 최고기술책임자CTO 사장이 19일 ‘세미콘 코리아’에서 기조연설을 통해 반도체 기술이 고대역 고용량 저전력을 해결할 수 있는 유니버설 테크놀로지에 달려있다고 강조했다.
그는 이날 인공지능과 반도체, 그리고 인류의 미래에 대해 조망했다. 송 CTO는 “AI는 앞으로 인간 두뇌를 닮아갈 것”이라며, 이를 뒷받침하는 핵심 기술로 반도체의 중요성을 강조했다.
송 CTO는 AI의 역사가 약 80년에 걸쳐 여섯 차례의 변화를 거쳐 왔다고 분석했다. 그는 “다음은 포스트 인공지능 시대”라며, AI 이후 산업을 주도할 기술로 자율주행, 우주 기술, 퀀텀 컴퓨팅, 휴머노이드 로봇, 바이오 기술 등을 꼽았다.
특히 AI가 인간 두뇌처럼 저전력·고효율 구조로 진화할 것이며, 이를 실현하기 위해 반도체 기술의 변화가 필수적이라고 강조했다.이어 송 CTO는 반도체가 AI의 성능을 뒷받침하려면 퍼포먼스성능는 높이고, 전력 소비Power는 줄이는 방향으로 발전해야 한다고 설명했다. 그는 “앞으로 실리콘 공정뿐만 아니라 패키지 프로세스도 더욱 중요해질 것”이라며, 반도체 성능을 극대화하는 고밀도, 고대역폭, 저지연 기술이 필요하다고 강조했다.
아울러 반도체 산업이 직면한 주요 과제전력 효율, 성능, 집적도, 대역폭, 지연 시간를 해결하기 위한 전략으로 ‘유니버설 테크놀로지Universal Technology’를 제시했다. 대표적인 기술이다.
3D 구조3D Structure #x2013; 3D 스택 FET3D Stack FET, 수직 트랜지스터 DRAMVertical Transistor DRAM 등으로 집적도 및 성능 향상Density amp; Performance Improvement
새로운 채널New Channel #x2013; 2D 소재2D Material, 음전하 커패시턴스 FETNegative Capacitance FET, NCFET 기술 도입
저저항Low Resistance #x2013; IGZO DRAM, 하이브리드 구리 본딩Hybrid Cu Bonding을 활용해 칩 내부 저항 감소Reducing Internal Resistance
고급 패키징Advanced Package #x2013; 공동 패키징 광학Co-Packaged Optics, 유기 인터포저Organic Interposer로 칩 연결 최적화Optimizing Chip Connectivity
본딩 기술Bonding #x2013; 하이브리드 구리 본딩Hybrid Cu Bonding으로 칩 통합도 향상 및 신호 손실 최소화Enhancing Chip Integration amp; Minimizing Signal Loss
송 CTO는 “반도체 기술이 기존의 미세공정 축소 전략을 넘어서야 한다”며, “유니버설 테크놀로지가 미래 반도체 산업을 주도할 것”이라고 강조했다.
또 기술 혁신의 궁극적인 목표는 더 나은 삶이라고도 언급했다. 그는 과거 프랑스 루이 14세의 생활과 현대인의 삶을 비교하며 과학기술 발전의 가치를 설명했다.
그는 “루이 14세는 500명의 하인과 개인 마차를 가졌지만, 의료 수준은 열악했고 평균 수명도 짧았다. 반면, 현대인은 하인은 없지만, 의료 기술과 생활 수준이 크게 향상됐다.”고 말했다.
또한 에너지 소비량 증가, 정보 개방성, 집단지성 활용 등을 예로 들며, “과학기술 덕분에 생산성과 효율성이 엄청나게 높아졌고, 앞으로도 협업을 통해 더 나은 삶을 만들어갈 것”이라고 전망했다.
이번 기조연설을 통해 송 CTO는 반도체가 단순한 기술이 아닌, AI 시대를 실현하고 인류의 삶을 변화시키는 핵심 인프라임을 강조했다.
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