D램 희비 교차…1c 진출 SK하이닉스 vs 1b 발목 삼성전자 > IT/과학기사 | it/science

D램 ‘희비 교차’…1c 진출 SK하이닉스 vs 1b 발목 삼성전자

SK하이닉스 1c DDR5 D램.사진=SK하이닉스

글로벌 메모리 투톱 삼성전자와 SK하이닉스의 희비가 엇갈리고 있다. AI인공지능 메모리로 품귀 현상까지 일어나고 있는 HBM고대역폭메모리 시장에 이어 차세대 D램 부문에서도 SK하이닉스가 한 발 앞서가는 모습이다. 업계에서는 양사의 D램 경쟁력 차이가 HBM으로 번질 가능성에 촉각을 곤두세우고 있다.

1일 업계에 따르면 SK하이닉스는 지난달 29일 “세계 최초로 10nm나노미터, 10억분의 1m급 6세대1c 공정을 적용한 16Gb기가비트 DDR5 D램 개발에 성공했다”면서 “연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 자신했다. D램 미세공정은 10나노 후반의 1x, 1y, 1z를 거쳐 10나노 초중반대인 1a, 1b, 1c 순으로 개발됐다. 1c는 11~12나노급으루 분류된다.

업계 안팎에서는 SK하이닉스 1c D램 수율이 1b D램과 비슷한 60%대로 보고 있다. 전세대인 1b D램의 플랫폼 확장을 통해 1c를 개발한 점이 수율에 영향을 줬을 것이란 추정이다. 이 같은 방식이 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄일 수 있었다는 것이 SK하이닉스 측 설명이다.

반도체 장비 업계 관계자는 “1b D램의 수율이 60%대인데 1c가 이와 비슷할 것”이라면서 “SK하이닉스 내부에서도 1c 수율이 생각보다 더 잘나와서 놀라고 있다”고 귀띔했다.

삼성전자 평택캠퍼스.사진=삼성전자

반면 삼성전자의 1c D램은 아직도 고전을 면치 못하고 있다. 업계에서는 삼성전자 1c D램의 수율이 한 자릿수대에 머물고 있는 것으로 보고 있다. 지난 3월 미국 실리콘밸리에서 열린 반도체 학회 ‘멤콘 2024’에서 1c D램을 올해 말 양산하겠다고 발표했지만, 몇 달 째 수율이 제자리걸음을 걷고 있는 것이다. 일각에서는 양산 지연 가능성마저 언급하고 있다.

1c D램의 수율 문제는 1b D램으로 거슬러 올라간다. 현재 삼성전자 1b D램의 수율은 50%가 되지 않는 것으로 알려졌다. SK하이닉스의 1c D램보다 수율이 낮은 수준이다. 통상 D램의 목표 수율인 80~90%까지는 갈 길이 멀다는 평가다.

문제는 D램 경쟁력 약화가 HBM으로 이어진다는 점이다. AI용 메모리로 각광받는 HBM은 D램을 쌓아 만든 칩이다. D램 경쟁력이 HBM으로 직결되는 셈이다.

게다가 삼성전자는 올해 말 테이프아웃Tape-out, 설계도면 파운드리 전달을 진행하는 HBM46세대부터 코어 다이로 1c D램을 사용한다. 전세대 제품인 HBM3E5세대에는 1a D램을 사용했다. HBM4E부터 1c D램을 사용하는 SK하이닉스보다 한발 빠르게 적용하는 승부수를 둔 것이다. 이런 가운데 1c D램 수율이 현 상황을 유지한다면 HBM4 제품 개발에 제동이 걸릴 가능성을 배제할 수 없다.

반도체 업계 관계자는 “삼성전자는 지금 파운드리 경쟁보다 메모리 회복이 우선과제”라고 지적한 뒤 “메모리 경쟁력이 늘어날 때 회사의 전반적인 경쟁력도 커질 것”이라고 봤다.

전화평 기자 peace201@viva100.com